授業の主題
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専門科目で学習した内容について実験や数値計算により理解を深めるとともに、最新の電気電子分野における技術の一端を実験を通して理解する。
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学修目標（到達目標）
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半導体プロセス、プラズマ応用、信号処理、電波情報通信の各テーマを、実験や数値計算により理解を深めるとともに、最新の電気電子分野における技術の一端を実験を通して理解する。また、学術報告書の書き方を修得する。
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授業概要
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１．実験ガイダンス
２．実験講習
３. 半導体・誘電体プロセス技術（川江）：
シリコン半導体デバイスや強誘電体キャパシタの
作製プロセスにおける基本技術について、
各基礎デバイスの作製・評価を通して理解を深める。
４. プラズマ診断と応用 (石島）：
プラズマ発生装置を用いて、プラズマ生成・診断するための手法と
プラズマの応用技術について理解を深める。
５. 電波情報通信Ａ（尾崎）：
計測実験やシミュレーションを通して
電波情報通信技術について理解を深める
６. 電波情報通信Ｂ（莊司）：
シミュレーションを通して制御技術の理解を深める
７．レポートの書き方指導
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評価方法と割合
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評価方法
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次項の項目及び割合で総合評価し、次のとおり判定する。
「Ｓ（達成度90％～100％）」、「Ａ（同80％～90％未満）」、
「Ｂ（同70％～80％未満）」、「Ｃ（同60％～70％未満）」を合格とし、
「不可（同60％未満）」を不合格とする。（標準評価方法）
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評価の割合
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・90％ レポート
・10％ 授業内活動度
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授業時間外の学修に関する指示
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予習に関する指示
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実験指導書の注意事項を熟読すること。
次回の実験内容について実験指導書の当該部を読んでくること。
LMSに掲載された資料、担当教員により配布された資料を読んでくること。
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予習に関する教材
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オンデマンド教材（授業内容の一部）
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復習に関する指示
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実験を行った当日に再度実験指導書・ノートにて復習すること。
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復習に関する教材
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オンデマンド教材（授業内容の一部）
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教科書・参考書
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特になし
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オフィスアワー等（学生からの質問への対応方法等）
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担当教員に電子メールで連絡すること.
Takeshi Kawae, kawae_at_ec.t.kanazawa-u.ac.jp
Tatsuo Ishijima, ishijima_at_ec.t.kanazawa-u.ac.jp
Yasuhiro Shoji, yshoji_at_se.kanazawa-u.ac.jp
Mitsunori OZAKI, ozaki_at_is.t.kanazawa-u.ac.jp
cf.
_at_ --->@
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履修条件
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その他履修上の注意事項や学習上の助言
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以下に記載した講義の受講者は，実験内容の理解を深めるため講義内容を復習しておくこと
・高電圧プラズマ工学 A, B (B3：Q3, Q4)
・半導体工学 A, B（B2：Q3, Q4）
・電子デバイス A, B（B3：Q1, Q2）
・電気電子材料 A, B（B3：Q3, Q4）
・システム制御基礎 A，B （B2：Q3, Q4）
・システム制御 A，B，C，D (B3：Q1-Q4）
・情報通信方式 A, B （B3：Q1, Q2）
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